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三星第三代 V-NAND 量产,耗电量降 30%

来源:必威亚洲体育_宝马电玩城在线娱乐     2020-06-14 12:19:15     阅读次数:626

三星第三代 V-NAND 量产,耗电量降 30%

英特尔(Intel Corp.)、美光(Micron Technology Inc.)于 7 月 29 日宣布开发出新世代记忆体技术「3D Xpoint」,让三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)警钟大作,该公司 10 日发布新闻稿宣布,第三代 V-NAND 已正式量产。

三星指出,业界首见、以 48 层 3-bit MLC 堆叠的 256Gb 3DVertical NAND(V-NAND)已开始量产,可用于固态硬碟(SSD),这款快闪记忆体的密度是传统 128Gb NAND 的一倍,除了单颗晶粒就具备 32 gigabytes (256 gigabits)的记忆体储存容量外,最新晶片的储存容量也可轻鬆到三星现有 SSD 产品线的一倍之多。

三星是在 2014 年 8 月推出第二代 V-NAND (32 层 3-bit MLC V-NAND),现在只花了短短一年后就发布第三代 V-NAND,持续在 3D 记忆体时代保持领先地位。

最新的 V-NAND 内,每一个记忆体单元都运用了同样的 3D Charge Trap Flash (CTF)架构,在储存相同的资料量之际,耗电量能比 32 层 3-bit MLC 128Gb V-NAND 节省逾 30%。在生产过程方面,第三代 V-NAND 的生产效率比前代高出 40%,可让 SSD 更具成本竞争力。

三星在 2015 年结束前都计划不断生产第三代 V-NAND,以便让 TB (兆位元)级的 SSD 加速普及。

英特尔、美光新世代记忆体技术「3D Xpoint」储存的资料比 DRAM 高出十倍,读写速度与耐受度更是 NAND 型快闪记忆体的 1 千倍之多,如此革新的技术让三星、SK Hynix 大为紧张。

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